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参数资料
| 型号： | AOD4185 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOD4185 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
15
20
41
50
RθJC
2
2.4
Maximum Junction-to-Case
D,F
TC=100°C
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Drain-Source Voltage
Steady-State
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
Steady-State
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
PD
-115
-42
88
V
±20
Gate-Source Voltage
TA=70°C
Power Dissipation
B
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
A
mJ
ID
Pulsed Drain Current
C
-50
-35
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
-40
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
V
°C
62.5
31
-55 to 175
W
2.5
1.6
AOD4185/AOI4185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = -40V
ID = -50A
(VGS = -10V)
RDS(ON) < 15m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 20m (VGS = -4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
General Description
The AOD4185/AOI4185 uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current applications.
-RoHS Compliant
-Halogen Free*
G
D
S
G
TO-251A
IPAK
Top View
S
Bottom View
D
S
G
D
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI4185 | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD4185_003 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4185_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185L | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:初步 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD4185L_003 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
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