- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48365 > AOD4185 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AOD4185 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOD4185 |
AOD4185/AOI4185
VDC
Ig
Vds
DUT
VDC
Vgs
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
-
+
-10V
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
VDC
Vgs
Vds
Id
Vgs
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
-
+
2
E = 1/2 LIAR
AR
BVDSS
I AR
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vgs
Isd
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Vds -
Vds +
dI/dt
RM
rr
Vdd
Q = - Idt
trr
-Isd
-Vds
F
-I
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
-
+
Vgs
Vds
tt
t
90%
10%
r
on
d(off)
f
off
d(on)
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI4185 | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD4185_003 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4185_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185L | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:初步 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD4185L_003 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。