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参数资料
| 型号： | AOD4185 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOD4185 |
AOD4185/AOI4185
150
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 13: Current De-rating (Note B)
-Cur
re
nt
r
a
ti
ng
I
D
(A)
1
10
100
1000
10000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note G)
Pow
e
r(
W
)
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Z
θJA
No
rm
aliz
ed
T
ran
sien
t
T
h
e
rm
al
Resist
an
ce
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=50°C/W
Single Pulse
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0
10
20
30
40
50
60
70
0
25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 12: Power De-rating (Note B)
P
o
we
rDi
s
ipa
ti
on
(W
)
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI4185 | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD4185_003 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4185_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 |
| AOD4185L | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:初步 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD4185L_003 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
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