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参数资料
| 型号： | AO4496 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 10A SOIC 8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 15v |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1292-6 |
AO4496
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
50
40
10V
4.5V
4V
50
40
V DS = 5V
30
20
3.5V
30
20
10
V GS = 3V
10
125 ° C
25 ° C
0
0
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
26
V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
1.8
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
24
V GS = 4.5V
1.6
V GS = 10V
I D = 10A
22
20
1.4
1.2
V GS = 4.5V
I D = 7.5A
18
16
V GS = 10V
1.0
I F =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
14
0
5
10
15
20 25 30
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
50
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
45
40
35
I D = 10A
1E+01
1E+00
1E-01
30
25
20
15
125 ° C
25 ° C
1E-02
1E-03
1E-04
125 ° C
25 ° C
1E-05
10
2
4
6
8
10
1E-06
V GS (Volts)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AO4498EL | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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