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参数资料
| 型号： | AO4496 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 10A SOIC 8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 15v |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1292-6 |
AO4496
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
V DS = 15V
I D = 10A
800
8
600
C iss
6
400
4
2
0
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10 μ s
1000
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
10
100 μ s
100
1
R DS(ON)
limited
1ms
10ms
100mss
10
0.1
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
10s
DC
0.01
0.1
1
I F =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
10 100
1
0.0001
0.01
1 100
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note E)
10
1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =75 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
P D
0.01
0.1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Single Pulse
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0.001
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note E)
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AO4498EL | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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