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参数资料
| 型号： | AO4712 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | AO4712 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
R
θ
JL
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
16
38
3.1
2.0
A
mJ
°C
-55 to 150
A
9.1
60
W
Maximum
30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
11.2
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
I
DSM
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
Pulsed Drain Current
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
AO4712
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=11.2A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14.5m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
The AO4712 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
,and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AO4712 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
SRFET
TM
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4714 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AO4800AL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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