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参数资料
| 型号： | AO4712 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | AO4712 |
AO4712
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC PARAMETERS
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Junction Temperature
I
R
VDS=12V
VDS=24V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 13: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
(
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 14: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. Conduction Current
Q
r
0
2
4
6
8
10
12
I
di/dt=800A/us
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 15: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. Conduction Current
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
I
S
=1A
10A
20A
0
5
10
15
20
25
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A)
Figure 16: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
r
0
2
4
6
8
10
I
0
3
6
9
12
15
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. di/dt
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
S
di/dt=800A/us
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
125o
125oC
125oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
Is=20A
Is=20A
Qrr
Irm
trr
Qrr
Irm
trr
S
S
5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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