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参数资料
| 型号： | AON7403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | AON7403 |
AON7403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
150
0
20
40
60
80
012
345
-VDS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
-I
D
(A)
-4.5V
-10V
VGS=-4V
0
20
40
60
80
012
3456
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-I
D
(A)
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
DS
(O
N)
(m
)
`
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-I
S
(A)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
No
rm
aliz
ed
O
n
-R
esist
an
ce
VGS=-10V
ID=-8A
VGS=-5V
ID=-5A
10
20
30
40
50
24
68
10
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
DS
(O
N)
(m
)
VDS=-5V
VGS=-5V
VGS=-10V
ID=-8A
25°C
125°C
25°C
125°C
-8V
-6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP-454.5 | 410 MHz - 512 MHz MOBILE STATION ANTENNA |
| AP-868U | MOBILE STATION ANTENNA |
| AP0103GMT-HF | 140 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01L60AT | 160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| AP0203GMT-HF | 38 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON7403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AON7403L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
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| AON7404 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 40A DFN3X3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON7405 | 功能描述:MOSF P CH 30V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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