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参数资料
| 型号： | AON7403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | AON7403 |
AON7403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
VDS=VGS ID=1mA
1.4
1.8
50
800
140
220
80
140
0.5
15
7
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V
GS
(V
o
lts)
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Capaci
tance
(pF)
Ciss
0
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
Po
w
e
r(
W
)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note F)
Z
θJA
Norm
al
iz
ed
Transi
ent
Therm
al
Resi
stance
Coss
Crss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.1
1
10
100
-VDS (Volts)
-I
D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
s
10ms
10s
DC
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
RDS(ON)
limited
1ms
VDS=-15V
ID=-8A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=75°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
10
s
100m
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP-454.5 | 410 MHz - 512 MHz MOBILE STATION ANTENNA |
| AP-868U | MOBILE STATION ANTENNA |
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| AP01L60AT | 160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| AP0203GMT-HF | 38 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AON7405 | 功能描述:MOSF P CH 30V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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