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参数资料
| 型号： | AON7403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | AON7403 |
AON7403
-
+
VDC
Ig
Vds
DUT
-
+
VDC
Vgs
10V
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Vgs
Vds
10%
90%
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
ttr
d(on)
ton
t
d(off)
t f
toff
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
-
+
VDC
L
Vgs
Vds
Id
Vgs
BV
I
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vds
Vgs
Vds
Isd
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Vds -
Vds +
I F
AR
DSS
2
E = 1/2 LI
dI/dt
I RM
rr
Vdd
Q = - Idt
AR
trr
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AP0203GMT-HF | 38 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AON7405 | 功能描述:MOSF P CH 30V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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