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参数资料
| 型号： | AP9T19GH |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | AP9T19GH |
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
12
-
V
ΔBV
DSS/ΔTj
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25℃, ID=1mA
-
0.01
-
V/℃
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
VGS=4.5V, ID=20A
-
16
mΩ
VGS=2.5V, ID=10A
-
24
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
-
1.2
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=5V, ID=20A
-
25
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current (Tj=25
oC)
VDS=12V, VGS=0V
-
1
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=150
oC)
VDS=10V ,VGS=0V
-
25
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=±12V
-
±100
nA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=20A
-
18
28
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=10V
-
2
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
9
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=10V
-
12
-
ns
tr
Rise Time
ID=20A
-
85
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=5V
-
24
-
ns
tf
Fall Time
RD=0.5Ω
-90
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
905
1450
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=12V
-
690
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
600
-
pF
Rg
Gate Resistance
f=1.0MHz
-
1.3
-
Ω
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=20A, VGS=0V
-
1.3
V
Notes:
1.Pulse width limited by safe operating area.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
AP9T19GH/J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL501P | 43 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10011R5KN | 1.5 A, 1000 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT10023JLL | 36 A, 1000 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT1004RKN | 3.6 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT1004R2KN | 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AP9T19GJ | 制造商:A-POWER 制造商全称:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low Gate Charge, Capable of 2.5V gate drive |
| AP9U18GH | 制造商:A-POWER 制造商全称:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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