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参数资料
| 型号： | AP9T19GH |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | AP9T19GH |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9T19GH/J
td(on) tr
td(off)t
f
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10203040
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
Gate
to
S
o
u
rc
eV
oltage
(
V
)
I D =20A
V DS =6V
V DS =8V
V DS =10V
100
1000
10000
15
9
13
17
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
No
rm
a
lized
T
h
erm
a
lResp
o
n
se
(
R
thjc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL501P | 43 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10011R5KN | 1.5 A, 1000 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT10023JLL | 36 A, 1000 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT1004RKN | 3.6 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT1004R2KN | 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AP9T19GJ | 制造商:A-POWER 制造商全称:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low Gate Charge, Capable of 2.5V gate drive |
| AP9U18GH | 制造商:A-POWER 制造商全称:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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