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参数资料
| 型号： | AP9T19GH |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | AP9T19GH |
AP9T19GH/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
012
345
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
T C =25
o C
0
10
20
30
40
50
60
70
012
3
45
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
T C = 150
o C
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
12
16
20
24
123
45
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(
ON)
(m
ΩΩΩΩ
)
I D =10 A
T C =25
o C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(
ON)
I D =20 A
V G =4.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
Normalize
d
V
GS(
th)
(V
)
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT1004R2KN | 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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