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参数资料
| 型号： | APT50GF60JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT50GF60JCU2 |
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
2- 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2200
Coes
Output Capacitance
323
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
200
pF
Qg
Total gate Charge
166
Qge
Gate – Emitter Charge
20
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 50A
100
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
40
Tr
Rise Time
9
Td(off)
Turn-off Delay Time
120
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
12
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
42
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
21
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
0.3
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
Tj = 125°C
1
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
225
A
Chopper SiC diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
100
400
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 175°C
200
2000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 125°C
20
A
Tj = 25°C
1.6
1.8
VF
Diode Forward Voltage
IF = 20A
Tj = 175°C
2
2.4
V
QC
Total Capacitive Charge
IF = 20A, VR = 300V
di/dt =800A/s
28
nC
f = 1MHz, VR = 200V
130
C
Total Capacitance
f = 1MHz, VR = 400V
100
pF
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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