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参数资料
| 型号： | APT50GF60JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT50GF60JCU2 |
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
3- 6
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.45
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
SiC chopper Diode
1.35
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG Storage Temperature Range
-55
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque
Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical IGBT Performance Curve
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
30
4050
C,
Ca
pa
ci
ta
nc
e
(
p
F)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
a
lI
m
ped
a
n
ce
(
°C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
20
406080
100
120
IC, Collector Current (A)
F
max
,Ope
ra
ti
n
g
Fr
eq
ue
ncy
(
k
Hz
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 2.7
TJ = 125°C
TC= 75°C
Emitter
Gate
Collector
Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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