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参数资料
| 型号： | APT50GF60JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT50GF60JCU2 |
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
6- 6
Typical SiC chopper diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
10
20
30
40
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
Forwa
rd
Current
(A)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
200
300
400
500
600
700
800
VR Reverse Voltage (V)
I R
Revers
e
Cu
rren
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
200
400
600
800
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C
,C
a
pa
cit
a
nce
(
p
F)
ISOTOP is a registered trademark of ST Microelectronics NV
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90B | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT60GF60JU2 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120J | 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GL60BN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
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