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参数资料
| 型号： | APT50GF60JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT50GF60JCU2 |
APT50GF60JCU2
APT
50GF60JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
4- 6
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
0
1234
Ic
,
C
o
ll
ect
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
012
34567
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,Coll
ec
tor
Curr
e
n
t(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
c
to
rt
o
Em
it
te
r
B
re
a
k
d
o
w
n
V
o
lta
g
e
(N
ormali
zed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic,
DC
Coll
ect
o
rCurrent
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
Em
it
te
rVo
lt
a
g
e
(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01
23
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APT60GF60JU2 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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