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参数资料
| 型号： | APT75GT120JRDQ3 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | APT75GT120JRDQ3 |
052-6276
Rev
C
12-2005
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,THRESHOLD
VOLTAGE
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED
)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE = 480V
V
CE = 300V
V
CE = 120V
IC = 75A
TJ = 25°C
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
6
5
4
3
2
1
0
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(VGE = 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
TC = 125°C
10V
9V
8V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC = 25°C
VGE = 15V
7V
11V
12V
13V
15V
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PDF描述 |
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