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参数资料
| 型号： | APT75GT120JRDQ3 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | APT75GT120JRDQ3 |
052-6276
Rev
C
12-2005
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
ISOTOPis a Registered Trademark of SGS Thomson.
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter/Anode
Collector/Cathode
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter/Anode
Emitter/Anode terminals are
shorted internally. Current
handling capability is equal
for either Emitter/Anode terminal.
APT10035LLL
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT77N60BC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT77N60SC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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