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参数资料
型号： APT75GT120JRDQ3
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ISOTOP-4
文件页数： 4/9页
文件大小： 449K
代理商： APT75GT120JRDQ3
052-6276
Rev
C
12-2005
APT75GT120JRDQ3
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 400V
R
G = 1.0
L = 100H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 1.0
R
G = 1.0, L = 100H, VCE = 400V
V
CE = 400V
T
J = 25°C, or 125°C
R
G = 1.0
L = 100H
60
50
40
30
20
10
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
50000
40000
30000
20000
10000
0
100000
80000
60000
40000
20000
0
V
GE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 1.0
T
J = 125°C
T
J = 25°C
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G = 1.0, L = 100H, VCE = 400V
500
400
300
200
100
0
70
60
50
40
30
20
10
0
10000
8000
6000
4000
2000
0
45000
40000
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 1.0
E
off,150A
E
on2,150A
E
on2,75A
E
off,75A
VCE = 400V
VGE = +15V
TJ = 125°C
E
off,150A
E
on2,150A
E
off,75A
E
on2,75A
E
off,37.5A
E
on2,37.5A
E
on2,37.5A
E
off,37.5A
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