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参数资料
| 型号： | APT94N65B2C3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 94 A, 650 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TMAX-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | APT94N65B2C3 |
T-MAX (B2) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
e1 100% Sn Plated
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
10%
t
d(on)
10%
t
r
90%
5%
T
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
T
J = 125
C
Switching Energy
5 %
T
J = 125 C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
90%
t
f
t
d(off)
10%
Switching Energy
0
IC
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Typical Performance Curves
APT94N65B2C3(G)
050-8069
Rev
B
3-2009
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PDF描述 |
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