参数资料
型号: APTGV50H60T3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数: 5/9页
文件大小: 369K
代理商: APTGV50H60T3G
APTGV50H60T3G
A
P
TG
V
50H
60T3G
–Re
v
0
J
une
,20
07
www.microsemi.com
5-9
4. Package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150*
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
Tj=175°C for Trench & Field Stop IGBT
5. SP3 Package outline (dimensions in mm)
17
12
28
1
See application note 1901 - Mounting Instructions for SP3 Power Modules on www.microsemi.com
6. Top switches curves
6.1 Top Trench + Field Stop IGBT typical performance curves
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
00.5
1
1.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
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