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参数资料
| 型号： | APTGV50H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | APTGV50H60T3G |
APTGV50H60T3G
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Current Rise Time vs Collector Current
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RG = 2.7
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Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
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Eon, 50A
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Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
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Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTH003A0X-SRZ | 功能描述:DC/DC转换器 SMT in 2.4-5.5Vdc out 0.59-3.63Vdc 3A RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
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