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参数资料
| 型号： | APTGV50H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | APTGV50H60T3G |
APTGV50H60T3G
A
P
TG
V
50H
60T3G
–Re
v
0
J
une
,20
07
www.microsemi.com
7-9
7. Bottom switches curves
7.1 Bottom fast NPT IGBT typical performance curves
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
01
23
4
Ic
,C
o
llec
to
r
C
u
rr
en
t(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
01
234
56
789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
or
Curr
en
t(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,
C
o
ll
ec
to
rt
o
Em
it
te
r
V
o
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
r
Vo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ec
tor
to
E
m
it
te
r
B
rea
kdown
V
o
lta
g
e(
N
orm
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iz
ed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic,
D
C
o
ll
ec
to
rC
u
rre
nt
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
Em
itt
er
V
o
lta
g
e(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
0
1
234
Ic
,
C
o
ll
ec
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
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