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参数资料
| 型号： | AT-41486 |
| 英文描述： | Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor(高达6 GHz低噪声硅双极型晶体管) |
| 中文描述： | 到6 GHz低噪声硅双极型晶体管（高达6 GHz的低噪声硅双极型晶体管） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | AT-41486 |
3
AT-41486 Typical Performance, T
A
= 25
°
C
FREQUENCY (GHz)
Figure 1. Noise Figure and Associated
Gain vs. Frequency.
V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA.
G
I
C
(mA)
Figure 2. Optimum Noise Figure and
Associated Gain vs. Collector Current
and Collector Voltage. f = 2.0 GHz.
G
0
10
20
30
40
Figure 3. Optimum Noise Figure and
Associated Gain vs. Collector Current
and Frequency. V
CE
= 8 V.
10 V
4 V
FREQUENCY (GHz)
Figure 5. Insertion Power Gain,
Maximum Available Gain and
Maximum Stable Gain vs. Frequency.
V
CE
= 8 V, I
C
= 25 mA.
G
0.1
0.5
0.3
1.0
3.0
6.0
I
C
(mA)
G
I
C
(mA)
Figure 4. Output Power and 1 dB
Compressed Gain vs. Collector
Current and Frequency. V
CE
= 8 V,
f = 2.0 GHz.
24
20
16
12
8
4
G
1
P
1
0
10
20
30
40
P
1dB
G
1dB
24
21
18
15
12
9
6
3
0
8
6
4
2
0
N
4
3
2
1
N
O
0.5
2.0
1.0
3.0
4.0 5.0
15
14
13
12
11
G
A
G
A
NF
O
NF
O
G
A
NF
O
NF
50
6 V
0
10
20
30
40
2.0 GHz
2.0 GHz
4.0 GHz
4.0 GHz
6
4
2
0
N
O
16
14
12
10
8
I
C
(mA)
Figure 6. Insertion Power Gain vs.
Collector Current and Frequency.
V
CE
= 8 V.
20
16
12
8
4
0
|
2
|
2
G
0
10
20
30
40
1.0 GHz
2.0 GHz
4.0 GHz
40
35
30
25
20
15
10
5
0
MSG
MAG
|S
21E
|
2
10 V
4 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AT-41486-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT41486TR1 | 制造商:HP 功能描述:* |
| AT-41486-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| AT-41486-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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