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参数资料
| 型号： | AT-41486 |
| 英文描述： | Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor(高达6 GHz低噪声硅双极型晶体管) |
| 中文描述： | 到6 GHz低噪声硅双极型晶体管（高达6 GHz的低噪声硅双极型晶体管） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | AT-41486 |
www.semiconductor.agilent.com
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Copyright 1999 Agilent Technologies
Obsoletes 5965-8928E
5968-2031E (11/99)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-41511 | NPN Silicon Bipolar Transistor(NPN硅双极型晶体管) |
| AT-41532 | General purpose transistor |
| AT-41532-TR2 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |
| AT-41586 | Low Cost General Purpose Transistors(低价格通用晶体管) |
| AT-42010 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Chip(高达6 GHz中等功率硅双极型晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-41486-BLK | 功能描述:TRANS SIL LOW NOISE BIPOLAR 86PL RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| AT-41486-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT41486TR1 | 制造商:HP 功能描述:* |
| AT-41486-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| AT-41486-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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