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参数资料
| 型号： | AT-41486 |
| 英文描述： | Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor(高达6 GHz低噪声硅双极型晶体管) |
| 中文描述： | 到6 GHz低噪声硅双极型晶体管（高达6 GHz的低噪声硅双极型晶体管） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | AT-41486 |
4
AT-41486 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter,
Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA
Freq.
S
11
GHz
Mag.
Ang.
dB
0.1
.74
-38
28.1
0.5
.59
-127
22.0
1.0
.56
-168
16.8
1.5
.57
169
13.5
2.0
.62
152
11.1
2.5
.63
142
9.3
3.0
.64
130
7.6
3.5
.68
122
6.3
4.0
.71
113
5.1
4.5
.74
105
4.0
5.0
.77
99
3.1
5.5
.79
93
2.0
6.0
.81
87
1.1
S
21
Mag.
25.46
12.63
6.92
4.72
3.61
2.91
2.41
2.06
1.80
1.59
1.42
1.27
1.13
S
12
Mag.
.011
.031
.041
.049
.058
.068
.078
.093
.106
.125
.139
.153
.170
S
22
Ang.
157
107
84
69
56
47
37
26
16
7
-4
-13
-22
dB
-39.6
-30.2
-27.7
-26.2
-24.8
-23.4
-22.2
-20.6
-19.5
-18.0
-17.2
-16.3
-15.4
Ang.
68
47
46
49
43
52
52
51
48
48
43
38
34
Mag.
.94
.60
.49
.45
.42
.40
.39
.37
.35
.35
.35
.35
.35
Ang.
-12
-29
-29
-32
-39
-42
-50
-60
-70
-84
-98
-114
-131
AT-41486 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
CE
= 8 V, I
C
= 25 mA
Freq.
S
11
GHz
Mag.
Ang.
0.1
.50
-75
0.5
.55
-158
1.0
.57
177
1.5
.57
161
2.0
.59
148
2.5
.61
139
3.0
.65
128
3.5
.70
121
4.0
.74
113
4.5
.78
107
5.0
.78
102
5.5
.78
96
6.0
.76
91
A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.
S
21
Mag.
40.01
14.38
7.50
5.07
3.75
3.02
2.52
2.17
1.92
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1.21
S
12
Mag.
.009
.020
.032
.043
.058
.072
.083
.099
.115
.132
.149
.169
.188
S
22
dB
32.0
23.2
17.5
14.1
11.5
9.6
8.0
6.7
5.7
4.7
3.7
2.7
1.6
Ang.
142
97
78
65
53
45
34
24
14
3
-8
-19
-29
dB
-41.3
-34.1
-29.9
-27.3
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-22.9
-21.6
-20.1
-18.8
-17.6
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Ang.
54
48
61
62
59
58
57
56
52
47
42
36
31
Mag.
.85
.51
.46
.44
.43
.40
.38
.36
.34
.32
.31
.31
.33
Ang.
-17
-24
-24
-28
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-49
-59
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-87
-106
-125
-144
AT-41486 Noise Parameters:
V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA
Freq.
GHz
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.3
1.3
1.4
1.7
3.0
Γ
opt
Mag
.12
.10
.04
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Ang
R
N
/50
3
0.17
0.17
0.16
0.16
0.40
16
43
-145
-99
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-41511 | NPN Silicon Bipolar Transistor(NPN硅双极型晶体管) |
| AT-41532 | General purpose transistor |
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| AT-42010 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Chip(高达6 GHz中等功率硅双极型晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-41486-BLK | 功能描述:TRANS SIL LOW NOISE BIPOLAR 86PL RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| AT-41486-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT41486TR1 | 制造商:HP 功能描述:* |
| AT-41486-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| AT-41486-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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