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参数资料
| 型号： | AT49LV020 |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(256K x 8单电源2.7V Battery-Voltage技术闪速存储器) |
| 中文描述： | 256K × 8单2.7伏电池电压快闪记忆体（256K × 8单电源为2.7V电池电压技术闪速存储器） |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | AT49LV020 |
AT49BV/LV020
5
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (C
L
= 5pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT49BV/LV020
Units
-70
-90
-12
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
70
90
120
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
70
90
120
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
35
0
40
0
50
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
25
0
25
0
30
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
0
0
0
ns
ADDRESS
CE
OUTPUT
OE
OUTPUT VALID
t
ACC
HIGH Z
ADDRESS VALID
t
DF
t
CE
t
OE
t
OH
AC
DRIVING
LEVELS
AC
MEASUREMENT
LEVEL
0.4V
1.5V
2.4V
t
R
, t
F
< 5 ns
100 pF
1.3K
1.8K
3.0V
OUTPUT
PIN
Pin Capacitance
(1)
f = 1 MHz, T = 25
°
C
Symbol
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
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PDF描述 |
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