- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11806 > AT89C51CC01UA-RLRUM (Atmel)IC 8051 MCU 32K FLASH 44-VQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AT89C51CC01UA-RLRUM |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 118/123页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU 32K FLASH 44-VQFP |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | AT89C CAN |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | CAN，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 34 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 2K x 8 |
| RAM 容量： | 1.25K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-LQFP |
| 包装： | 标准包装 |
| 配用： | AT89OCD-01-ND - USB EMULATOR FOR AT8XC51 MCU |
| 其它名称： | AT89C51CC01UA-RLRUMDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页当前第118页第119页第120页第121页第122页第123页
PIC18F2XK20/4XK20
DS41303G-page 94
2010 Microchip Technology Inc.
6.4
Erasing Flash Program Memory
The minimum erase block is 32 words or 64 bytes. Only
through the use of an external programmer, or through
ICSP control, can larger blocks of program memory
be bulk erased. Word erase in the Flash array is not
supported.
When initiating an erase sequence from the Microcon-
troller itself, a block of 64 bytes of program memory is
erased.
The
Most
Significant
16
bits
of
the
TBLPTR<21:6> point to the block being erased. The
TBLPTR<5:0> bits are ignored.
The EECON1 register commands the erase operation.
The EEPGD bit must be set to point to the Flash pro-
gram memory. The WREN bit must be set to enable
write operations. The FREE bit is set to select an erase
operation.
The write initiate sequence for EECON2, shown as
steps 4 through 6 in Section 6.4.1 “Flash Program
Memory Erase Sequence”, is used to guard against
accidental writes. This is sometimes referred to as a
long write.
A long write is necessary for erasing the internal Flash.
Instruction execution is halted during the long write
cycle. The long write is terminated by the internal pro-
gramming timer.
6.4.1
FLASH PROGRAM MEMORY
ERASE SEQUENCE
The sequence of events for erasing a block of internal
program memory is:
1.
Load Table Pointer register with address of
block being erased.
2.
Set the EECON1 register for the erase operation:
set EEPGD bit to point to program memory;
clear the CFGS bit to access program memory;
set WREN bit to enable writes;
set FREE bit to enable the erase.
3.
Disable interrupts.
4.
Write 55h to EECON2.
5.
Write 0AAh to EECON2.
6.
Set the WR bit. This will begin the block erase
cycle.
7.
The CPU will stall for duration of the erase
(about 2 ms using internal timer).
8.
Re-enable interrupts.
EXAMPLE 6-2:
ERASING A FLASH PROGRAM MEMORY BLOCK
MOVLW
CODE_ADDR_UPPER
; load TBLPTR with the base
MOVWF
TBLPTRU
; address of the memory block
MOVLW
CODE_ADDR_HIGH
MOVWF
TBLPTRH
MOVLW
CODE_ADDR_LOW
MOVWF
TBLPTRL
ERASE_BLOCK
BSF
EECON1, EEPGD
; point to Flash program memory
BCF
EECON1, CFGS
; access Flash program memory
BSF
EECON1, WREN
; enable write to memory
BSF
EECON1, FREE
; enable block Erase operation
BCF
INTCON, GIE
; disable interrupts
Required
MOVLW
55h
Sequence
MOVWF
EECON2
; write 55h
MOVLW
0AAh
MOVWF
EECON2
; write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; start erase (CPU stall)
BSF
INTCON, GIE
; re-enable interrupts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B5R-IW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| VE-B5R-IW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| VE-B5R-IW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| VE-B5P-IX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
| VE-B5P-IX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT89C51CC01UA-RLTUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN Bootloader UART RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51CC01UA-SLSUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN-STICK Bootloader UART IND RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51CC01UU-RLTUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU Microcontroller RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51CC01UU-SLSUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU Microcontroller RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51CC02 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Enhanced 8-bit Microcontroller with CAN Controller and Flash |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。