收藏本站
参数资料
型号： ATF-34143-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件页数： 2/15页
文件大小： 273K
代理商： ATF-34143-TR1
10
ATF-34143 Typical Noise Parameters
VDS=4V,IDS=60mA
Freq.
Fmin
Γopt
Rn/50
Ga
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
dB
0.5
0.11
0.84
15
0.14
24.5
0.9
0.14
0.78
30
0.12
20.7
1.0
0.15
0.77
34
0.12
20.2
1.5
0.20
0.69
53
0.10
18.5
1.8
0.23
0.66
62
0.10
17.7
2.0
0.26
0.62
72
0.09
17.2
2.5
0.33
0.55
91
0.07
16.3
3.0
0.39
0.50
111
0.05
15.4
4.0
0.53
0.43
149
0.03
13.7
5.0
0.67
0.39
-173
0.04
12.3
6.0
0.81
0.39
-137
0.07
11.1
7.0
0.96
0.42
-104
0.14
10.0
8.0
1.10
0.47
-76
0.26
9.2
9.0
1.25
0.54
-53
0.41
8.6
10.0
1.39
0.62
-37
0.60
8.2
ATF-34143 Typical Scattering Parameters, VDS = 4V, IDS = 60 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.5
0.95
-41
21.91
12.454
150
-31.06
0.028
68
0.29
-41
26.48
0.8
0.89
-65
21.33
11.654
134
-28.18
0.039
57
0.24
-67
24.75
1.0
0.85
-83
20.46
10.549
123
-26.56
0.047
49
0.23
-84
23.51
1.5
0.78
-111
18.74
8.646
103
-24.44
0.060
38
0.21
-114
21.59
1.8
0.75
-122
17.92
7.873
95
-23.74
0.065
33
0.21
-125
20.83
2.0
0.73
-133
17.16
7.207
87
-23.22
0.069
29
0.20
-136
20.19
2.5
0.69
-151
15.78
6.149
73
-22.38
0.076
22
0.19
-155
19.08
3.0
0.67
-168
14.56
5.345
60
-21.62
0.083
15
0.19
-171
18.09
4.0
0.64
161
12.53
4.232
37
-20.54
0.094
3
0.18
162
16.53
5.0
0.63
134
10.88
3.501
16
-19.58
0.105
-10
0.19
135
15.23
6.0
0.64
111
9.49
2.983
-5
-18.79
0.115
-24
0.21
109
12.89
7.0
0.66
86
8.15
2.557
-26
-18.27
0.122
-38
0.24
84
11.22
8.0
0.69
65
6.92
2.217
-46
-17.79
0.129
-51
0.28
62
10.21
9.0
0.73
46
5.72
1.932
-65
-17.46
0.134
-65
0.33
42
9.36
10.0
0.76
28
4.73
1.723
-84
-16.95
0.142
-79
0.38
25
8.94
11.0
0.78
9
3.70
1.531
-104
-16.71
0.146
-94
0.42
7
8.23
12.0
0.81
-11
2.57
1.344
-124
-16.71
0.146
-111
0.47
-12
7.56
13.0
0.84
-30
1.20
1.148
-143
-17.02
0.141
-126
0.52
-29
6.94
14.0
0.86
-44
-0.12
0.986
-159
-17.46
0.134
-139
0.58
-43
6.37
15.0
0.87
-56
-1.21
0.870
-175
-17.59
0.132
-150
0.62
-58
5.78
16.0
0.86
-72
-2.21
0.775
168
-17.59
0.132
-163
0.65
-71
4.60
17.0
0.86
-88
-3.35
0.680
151
-17.65
0.131
-178
0.68
-86
3.79
18.0
0.89
-101.99 -4.81
0.575
135
-18.42
0.120
169
0.71
-104
3.33
FREQUENCY (GHz)
Figure 26. MSG/MAG and |S21|2 vs.
Frequency at 4 V, 60 mA.
MSG/MAG
and
S
21
(dB)
0
4
2
8
14 16
10 12
6
18
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
MSG
MAG
S21
Notes:
1. Fminvaluesat2GHzandhigherarebasedonmeasurementswhiletheFminsbelow2GHzhavebeenextrapolated.TheFminvaluesarebased
onasetof16noisefiguremeasurementsmadeat16differentimpedancesusinganATNNP5testsystem.FromthesemeasurementsatrueFmin
iscalculated.Refertothenoiseparameterapplicationsectionformoreinformation.
2. Sandnoiseparametersaremeasuredonamicrostriplinemadeon0.025inchthickaluminacarrier.Theinputreferenceplaneisattheendofthe
gatelead.Theoutputreferenceplaneisattheendofthedrainlead.Theparametersincludetheeffectoffourplatedthroughviaholesconnect-
ingsourcelandingpadsontopofthetestcarriertothemicrostripgroundplaneonthebottomsideofthecarrier.Two0.020inchdiametervia
holesareplacedwithin0.010inchfromeachsourceleadcontactpoint,oneviaoneachsideofthatpoint.
相关PDF资料
PDF描述
ATF-34143-TR2 X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-34143-BLK X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-34143-TR1 X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-35143-BLKG X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-35143-BLK X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-34143-TR1G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF34143TR2 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5.5V V(BR)DSS | 90MA I(DSS) | SOT-343R
ATF-34143-TR2 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-34143-TR2G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF35076 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Low Noise Pseudomorphic HEMT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*