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参数资料
型号： ATF-38143-BLKG
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件页数： 11/13页
文件大小： 452K
代理商： ATF-38143-BLKG
7
ATF-38143 Typical Noise Parameters
VDS = 2 V, IDS = 10 mA
Freq.
Fmin
Γopt
Rn/50
Ga
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
dB
0.5
0.18
0.66
13
0.17
24.1
0.9
0.19
0.64
22
0.16
21.0
1.0
0.20
0.63
26
0.15
20.4
1.5
0.23
0.60
43
0.14
17.9
1.8
0.25
0.57
60
0.12
17.0
2.0
0.28
0.56
67
0.12
16.1
2.5
0.32
0.54
81
0.10
15.2
3.0
0.39
0.52
98
0.08
13.9
4.0
0.52
0.44
129
0.06
11.9
5.0
0.65
0.44
166
0.04
10.8
6.0
0.75
0.45
-165
0.04
9.6
7.0
0.84
0.48
-135
0.08
8.7
8.0
0.95
0.51
-106
0.16
7.7
9.0
1.10
0.55
-84
0.29
7.0
10.0
1.20
0.56
-65
0.46
6.8
FREQUENCY (GHz)
Figure 19. MSG/MAG and |S21|2 vs. Frequency at 2 V, 10 mA.
MSG/MAG
and
S
21
(dB)
0
4
2
8
14 16
10 12
6
18
MSG
MAG
S21
25
20
15
10
5
0
-5
-10
Notes:
1. Fminvaluesarebasedonasetof16noisefiguremeasurementsmadeat16differentimpedancesusinganATNNP5testsystem.Fromthese
measurementsatrueFminiscalculated.Refertothenoiseparameterapplicationsectionformoreinformation.
2. Sandnoiseparametersaremeasuredonamicrostriplinemadeon0.025inchthickaluminacarrier.Theinputreferenceplaneisattheend
ofthegatelead.Theoutputreferenceplaneisattheendofthedrainlead.Theparametersincludetheeffectoffourplatedthroughviaholes
connectingsourcelandingpadsontopofthetestcarriertothemicrostripgroundplaneonthebottomsideofthecarrier.Two0.020inch
diameterviaholesareplacedwithin0.010inchfromeachsourceleadcontactpoint,oneviaoneachsideofthatpoint.
ATF-38143 Typical Scattering Parameters, VDS = 2 V, IDS = 10 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
(GHz)
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
(dB)
0.5
0.97
-29
17.41
7.423
158
-27.74
0.041
72
0.53
-26
22.58
0.8
0.93
-47
17.00
7.081
145
-24.01
0.063
61
0.51
-40
20.51
1.0
0.91
-58
16.69
6.834
136
-22.50
0.075
55
0.48
-50
19.60
1.5
0.83
-85
15.69
6.086
117
-20.00
0.100
40
0.42
-72
17.84
1.8
0.78
-100
15.02
5.634
107
-19.17
0.110
33
0.39
-85
17.09
2.0
0.76
-109
14.57
5.350
100
-18.71
0.116
28
0.37
-94
16.64
2.5
0.71
-131
13.38
4.665
86
-17.99
0.126
18
0.33
-114
15.68
3.0
0.68
-150
12.22
4.083
73
-17.65
0.131
9
0.31
-132
14.94
4.0
0.65
180
10.24
3.251
50
-17.27
0.137
-5
0.28
-163
13.75
5.0
0.65
153
8.68
2.716
30
-17.08
0.140
-18
0.28
172
12.88
6.0
0.66
129
7.35
2.330
11
-16.95
0.142
-30
0.28
147
12.15
7.0
0.68
107
6.03
2.003
-9
-16.95
0.142
-42
0.29
122
11.49
8.0
0.71
87
4.72
1.722
-27
-17.27
0.137
-53
0.32
99
9.09
9.0
0.73
68
3.57
1.509
-43
-17.46
0.134
-62
0.35
83
7.94
10.0
0.75
53
2.71
1.366
-60
-17.27
0.137
-72
0.40
70
7.55
11.0
0.79
36
1.61
1.204
-78
-17.39
0.135
-83
0.45
52
7.27
12.0
0.82
20
0.47
1.055
-94
-17.65
0.131
-94
0.50
35
6.84
13.0
0.84
8
-0.93
0.898
-110
-18.34
0.121 -104
0.54
17
5.72
14.0
0.85
-4
-2.24
0.773
-125
-18.86
0.114 -112
0.59
2
4.77
15.0
0.87
-18
-3.45
0.672
-140
-19.17
0.110 -122
0.63
-8
4.42
16.0
0.88
-31
-4.63
0.587
-153
-19.49
0.106 -131
0.67
-19
3.85
17.0
0.88
-41
-5.81
0.512
-167
-19.74
0.103 -141
0.70
-32
3.03
18.0
0.89
-51
-7.27
0.433
-179
-20.54
0.094 -148
0.74
-41
2.34
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PDF描述
ATF-38143-TR1G X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
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ATF-38143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
ATF-38143-TR1 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-38143-TR1G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-38143-TR2 制造商:Avago Technologies 功能描述:TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,4.5V V(BR)DSS,90mA I(DSS),SOT-343R
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