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参数资料
| 型号： | ATF-511P8-BLK |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | ATF-511P8-BLK |
6
ATF-511P8 Typical Performance Curves, continued (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal OIP3 at 4.5V, 200 mA
Note:
Bias current for the above charts are quiescent
conditions. Actual level may increase or
decrease depending on amount of RF drive.
FREQUENCY (GHz)
Figure 17. P1dB vs. Temp and Freq.
P1dB
(dBm)
0.5
35
30
25
20
15
10
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 18. Gain vs. Temp and Freq.
GAIN
(dB)
0.5
20
15
10
5
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 19. PAE vs. Temp and Freq.
PAE
(%)
0.5
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
I
DS
(mA)
Figure 20. OIP3 vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 21. OIP3 vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 22. P1dB vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 23. P1dB vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 24. Gain vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
GAIN
(dB)
50
12
10
8
6
4
2
0
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 25. Gain vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
GAIN
(dB)
50
22
20
18
16
14
12
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
ATF-511P8 Typical Performance Curves (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5 V, 200 mA
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PDF描述 |
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