- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录42903 > ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ATF-511P8-BLK |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | ATF-511P8-BLK |
For product information and a complete list of distributors, please go to our web site:
www.avagotech.com
Avago, Avago Technologies, and the A logo are trademarks of Avago Technologies, Limited in the United States and other countries.
Data subject to change. Copyright 2007 Avago Technologies, Limited. All rights reserved. Obsoletes 5988-8246EN
5989-0003EN - July 10, 2007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-52189-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-52189-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-521P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-521P8-TR2 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-521P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-511P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-511P8-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-511P8-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-52189-BLK | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-52189-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。