型号: | ATF-54143-BLK |
厂商: | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
封装: | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
文件页数: | 1/17页 |
文件大小: | 212K |
代理商: | ATF-54143-BLK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ATF-54143-BLKG | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
ATF-54143-TR1G | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
ATF-54143-TR2 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
ATF-54143-TR2G | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
ATF-541M4-TR1G | X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ATF-54143-BLKG | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
ATF-54143-TR1 | 功能描述:IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
ATF-54143-TR1G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
ATF-54143-TR2 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package |
ATF-54143-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |