- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录395 > ATP204-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ATP204-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1080-6 |
ATP204
4.5
100
90
ID -- VDS
V
Tc=25 ° C
150
140
130
VDS=10V
ID -- VGS
80
70
120
110
100
60
50
40
30
20
10
4.0V
VGS=3.5V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
14
12
RDS(on) -- VGS
IT14998
Tc=25 ° C
Single pulse
14
12
RDS(on) -- Tc
IT14999
Single pulse
=25
=4.5
=50
0.0V
VGS
10
8
6
4
ID=25A
50A
10
8
6
4
2
VGS A
V, I D
, ID
=1
A
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
° C
5 °
=-
Tc ° C
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
| y fs | -- ID
25
C
-2
75
IT15000
VDS=10V
3
2
100
7
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15001
5
3
2
1.0
7
5
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
3
2
1000
VDD=15V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15002
10000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15003
f=1MHz
7
3
5
3
2
td(off)
2
1000
100
7
5
3
2
tf
tr
td(on)
7
5
3
2
C os s
Crss
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
100
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT15004
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15005
No. A1551-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP206-TL-H | MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK |
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK |
| ATP208-TL-H | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
| ATP212-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| ATP213-TL-H | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP206 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP206_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP206-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP207 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP207_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。