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参数资料
| 型号： | ATP204-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1080-6 |
ATP204
mm
Outline Drawing
ATP204-TL-H
Mass (g) Unit
0.266
* For reference
Land Pattern Example
6.5
1.5
Unit: mm
2.3
2.3
No. A1551-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ATP207 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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