参数资料
型号: ATP204-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
产品目录绘图: ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫欧 @ 50A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 10V
功率 - 最大: 60W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1080-6
ATP204
0 μ
1m
10 ms
0m
10
9
8
7
6
VDS=15V
ID=100A
VGS -- Qg
7
5
3
2
100
7
5
3
2
IDP=300A
ID=100A
ASO
10
PW≤10μs
10
s
s
s
10 μ
s
5
4
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
0.1
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
3
2
0.1
2 3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
70
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT15006
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14982
60
100
50
80
40
60
30
40
20
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14983
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14011
No. A1551-4/7
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