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参数资料
| 型号： | ATP213-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1085-6 |
ATP213
50
45
40
Tc=25 ° C
Single pulse
ID -- VDS
3.5V
75
70
65
60
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
35
30
55
50
45
25
20
15
10
5
VGS=3.0V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
40
RDS(on) -- VGS
IT14837
Tc=25 ° C
35
RDS(on) -- Tc
IT14838
Single pulse
35
30
ID=7A
13A
Single pulse
30
25
=7A
4.0V
=13
VGS
.5V
I =
0V, D
VGS
=10
25
20
15
10
25A
20
15
10
5
= A
VGS
, ID
, ID
.
=4 25A
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
° C
5 °
--2
Tc
° C
7
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
Single pulse
25
C
=
75
IT14839
100
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14840
1.0
7
0.01
7
5
3
2
5
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
7
5
3
VDD=30V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT14841
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT14842
f=1MHz
2
2
100
7
5
tf
1000
7
5
tr
3
Coss
3
2
td(on)
2
Crss
100
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
7
0
10
20
30
40
50
60
Drain Current, ID -- A
IT14843
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14844
No. A1526-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| ATP216-TL-H | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP301-TL-H | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP214 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP214_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP214-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP216 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP216_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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