参数资料
型号: ATP213-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
产品目录绘图: ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 25A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 20V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1085-6
ATP213
10 ms
0m
0 μ
10
9
8
7
VDS=30V
ID=50A
VGS -- Qg
3
2
100
7
5
3
2
IDP=150A
ID=50A
ASO
10
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
10
μ s
6
5
4
3
2
1
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
0
0
10
20
30
40
50
60
0.1 Single pulse
0.1 2 3 5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
60
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14845
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14846
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14847
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1526-4/7
相关PDF资料
PDF描述
ATP214-TL-H MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
ATP216-TL-H MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
ATP218-TL-H MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
ATP301-TL-H MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
ATP302-TL-H MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
ATP214 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP214_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ATP216 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP216_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications