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参数资料
| 型号： | ATP213-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1085-6 |
ATP213
Taping Speci ? cation
ATP213-TL-H
No. A1526-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| ATP216-TL-H | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP301-TL-H | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
| ATP302-TL-H | MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP214 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP214_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP214-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP216 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP216_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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