参数资料
| 型号： | ATTINY26L-8PU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 17/169页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU AVR 2K 5V 8MHZ 20-DIP |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 18 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | USI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 16 |
| 程序存储器容量： | 2KB（1K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 128 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 11x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 612 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | ATSTK600-RC08-ND - STK600 ROUTING CARD AVR ATSTK600-ND - DEV KIT FOR AVR/AVR32 ATAVRISP2-ND - PROGRAMMER AVR IN SYSTEM ATSTK505-ND - ADAPTER KIT FOR 14PIN AVR MCU |
| 其它名称： | ATTINY26L-8PJ ATTINY26L-8PJ-ND |
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1477K–AVR–08/10
ATtiny26(L)
Chip Erase
The Chip Erase will erase the Flash and EEPROM(1) memories plus Lock bits. The Lock bits are
not reset until the program memory has been completely erased. The Fuse bits are not
changed. A Chip Erase must be performed before the Flash and/or EEPROM are
reprogrammed.
Note:
1. The EEPROM memory is preserved during Chip Erase if the EESAVE Fuse is programmed.
Load Command “Chip Erase”
1. Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2. Set BS1 to “0”.
3. Set DATA to “1000 0000”. This is the command for Chip Erase.
4. Give XTAL1 a positive pulse. This loads the command.
5. Give WR a negative pulse. This starts the Chip Erase. RDY/BSY goes low.
6. Wait until RDY/BSY goes high before loading a new command.
Programming the
Flash
The Flash is organized in pages, see Table 52 on page 109. When programming the Flash, the
program data is latched into a page buffer. This allows one page of program data to be pro-
grammed simultaneously. The following procedure describes how to program the entire Flash
memory:
A. Load Command "Write Flash"
1. Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2. Set BS1 to “0”.
3. Set DATA to “0001 0000”. This is the command for Write Flash.
4. Give XTAL1 a positive pulse. This loads the command.
B. Load Address Low byte
1. Set XA1, XA0 to “00”. This enables address loading.
2. Set BS1 to “0”. This selects low address.
3. Set DATA = Address low byte ($00 - $FF).
4. Give XTAL1 a positive pulse. This loads the address low byte.
C. Load Data Low Byte
1. Set XA1, XA0 to “01”. This enables data loading.
2. Set DATA = Data low byte ($00 - $FF).
3. Give XTAL1 a positive pulse. This loads the data byte.
D. Load Data High Byte
1. Set BS1 to “1”. This selects high data byte.
2. Set XA1, XA0 to “01”. This enables data loading.
3. Set DATA = Data high byte ($00 - $FF).
4. Give XTAL1 a positive pulse. This loads the data byte.
E. Repeat B through D until the entire buffer is filled or until all data within the page is loaded.
While the lower bits in the address are mapped to words within the page, the higher bits address
the pages within the FLASH. This is illustrated in Figure 59 on page 114. Note that if less than 8
bits are required to address words in the page (pagesize < 256), the most significant bit(s) in the
address low byte are used to address the page when performing a page write.
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