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参数资料
| 型号： | ATTINY43U-MUR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 58/158页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 4KB FLASH 8MHZ 20QFN |
| 产品培训模块： | tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | USI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 16 |
| 程序存储器容量： | 4KB（2K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页当前第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页
150
8048C–AVR–02/12
ATtiny43U
Figure 19-4. Programming the EEPROM Waveforms
19.6.6
Reading the Flash
The algorithm for reading the Flash memory is as follows (refer to “Programming the Flash” on
page 147 for details on Command and Address loading):
1.
A: Load Command “0000 0010”.
2.
G: Load Address High Byte (0x00 - 0xFF).
3.
B: Load Address Low Byte (0x00 - 0xFF).
4.
Set OE to “0”, and BS1 to “0”. The Flash word low byte can now be read at DATA.
5.
Set BS1 to “1”. The Flash word high byte can now be read at DATA.
6.
Set OE to “1”.
19.6.7
Reading the EEPROM
The algorithm for reading the EEPROM memory is as follows (refer to “Programming the Flash”
on page 147 for details on Command and Address loading):
1.
A: Load Command “0000 0011”.
2.
G: Load Address High Byte (0x00 - 0xFF).
3.
B: Load Address Low Byte (0x00 - 0xFF).
4.
Set OE to “0”, and BS1 to “0”. The EEPROM Data byte can now be read at DATA.
5.
Set OE to “1”.
19.6.8
Programming the Fuse Low Bits
The algorithm for programming the Fuse Low bits is as follows (refer to “Programming the Flash”
on page 147 for details on Command and Data loading):
1.
A: Load Command “0100 0000”.
2.
C: Load Data Low Byte. Bit n = “0” programs and bit n = “1” erases the Fuse bit.
3.
Give WR a negative pulse and wait for RDY/BSY to go high.
RDY/BSY
WR
OE
RESET +12V
0x11
ADDR. HIGH
DATA
ADDR. LOW
DATA
ADDR. LOW
DATA
XX
XA1/BS2
XA0
PAGEL/BS1
CLKI
XX
AG
B
C
E
B
C
E
L
K
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PDF描述 |
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参数描述 |
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