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参数资料
| 型号： | ATTINY43U-MUR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 69/158页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 4KB FLASH 8MHZ 20QFN |
| 产品培训模块： | tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | USI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 16 |
| 程序存储器容量： | 4KB（2K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8048C–AVR–02/12
ATtiny43U
The calibrated Oscillator is used to time the EEPROM accesses. Make sure the Oscillator fre-
quency is within the requirements described in “OSCCAL – Oscillator Calibration Register” on
The following code examples show one assembly and one C function for erase, write, or atomic
write of the EEPROM. The examples assume that interrupts are controlled (e.g., by disabling
interrupts globally) so that no interrupts will occur during execution of these functions.
Note:
Assembly Code Example
EEPROM_write:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR,EEPE
rjmp
EEPROM_write
; Set Programming mode
ldi
r16, (0<<EEPM1)|(0<<EEPM0)
out
EECR, r16
; Set up address (r17) in address register
out
EEAR, r17
; Write data (r19) to data register
out
EEDR,r19
; Write logical one to EEMPE
sbi
EECR,EEMPE
; Start eeprom write by setting EEPE
sbi
EECR,EEPE
ret
C Code Example
void
EEPROM_write(unsigned char ucAddress, unsigned char ucData)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set Programming mode */
EECR = (0<<EEPM1)|(0<<EEPM0)
/* Set up address and data registers */
EEAR = ucAddress;
EEDR = ucData;
/* Write logical one to EEMPE */
EECR |= (1<<EEMPE);
/* Start eeprom write by setting EEPE */
EECR |= (1<<EEPE);
}
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