型号: | AUIRF7737L2TR1 |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 31 A, 40 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-7 |
文件页数: | 2/11页 |
文件大小: | 292K |
代理商: | AUIRF7737L2TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
AUIRF7738L2TR | 35 A, 40 V, 0.0016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRF7738L2TR1 | 35 A, 40 V, 0.0016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRF7739L2TR1 | 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRF7739L2TR | 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRFB3207 | 75 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
AUIRF7738L2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7738L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7739L2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7739L2TR_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Automotive DirectFET Power MOSFET |
AUIRF7739L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |