型号: | AUIRF7738L2TR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 35 A, 40 V, 0.0016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-7 |
文件页数: | 10/11页 |
文件大小: | 294K |
代理商: | AUIRF7738L2TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AUIRF7738L2TR1 | 35 A, 40 V, 0.0016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRF7739L2TR1 | 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRF7739L2TR | 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
AUIRFB3207 | 75 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
AUIRFP2907 | 90 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AUIRF7738L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7739L2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7739L2TR_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Automotive DirectFET Power MOSFET |
AUIRF7739L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF7749L2TR | 功能描述:MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Ta),345A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 120A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):275nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10655pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:1 |