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参数资料
| 型号： | AUIRFS3206TRR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 120 A, 60 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | AUIRFS3206TRR |
AUIRFS/SL3206
www.irf.com
9
D2Pak Part Marking Information
D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches))
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
Lot Code
YWWA
XX or XX
PartNumber
IRLogo
AUFS3206
Date Code
Y= Year
WW= Work Week
A= Automotive, Lead Free
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFSL3206 | 120 A, 60 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| AUIRFS3207ZTRL | 120 A, 75 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS3207Z | 120 A, 75 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFSL3207Z | 120 A, 75 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| AUIRFS3207ZTRR | 120 A, 75 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFS3207Z | 功能描述:MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFS3207ZTRL | 功能描述:MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFS3207ZTRR | 功能描述:MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFS3306 | 功能描述:MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFS3306TRL | 功能描述:MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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