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参数资料
| 型号： | AUIRFSL3607 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 75 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | AUIRFSL3607 |
AUIRFS/SL3607
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
70
75
80
85
90
95
100
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
5.6A
11A
BOTTOM 46A
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFS3607 | 80 A, 75 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS3806TRL | 43 A, 60 V, 0.0158 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS3806 | 43 A, 60 V, 0.0158 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS3806TRR | 43 A, 60 V, 0.0158 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS4010-7P | 190 A, 100 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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