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参数资料
| 型号： | AUIRL7732S2TR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 14 A, 40 V, 0.0066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | AUIRL7732S2TR |
AUIRL7732S2TR/TR1
www.irf.com
9
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
Automotive DirectFET Part Marking
Automotive DirectFET Outline Dimension, SC Outline (Small Size Can).
Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
R
P
0.016
0.029
0.003
0.007
0.041
0.088
0.112
0.032
0.018
0.024
MAX
0.191
0.156
0.38
0.68
0.02
0.08
0.95
2.15
2.75
0.78
0.35
0.58
MIN
4.75
3.70
0.42
0.74
0.08
0.17
1.05
2.25
2.85
0.82
0.45
0.62
MAX
4.85
3.95
0.015
0.027
0.003
0.001
0.085
0.037
0.108
0.031
0.023
0.014
MIN
0.146
0.187
METRIC
IMPERIAL
DIMENSIONS
0.75
0.80
0.63
0.67
0.026
0.025
0.031
0.030
"AU" = GATE AND
AUTOMOTIVE MARKING
PART NUMBER
LOGO
BATCH NUMBER
DATE CODE
Line above the last character of
the date code indicates "Lead-Free"
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PDF描述 |
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| AUIRLU024N | 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRL7732S2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRL7736M2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRL7736M2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRL7766M2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRL7766M2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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