- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录42912 > AUIRLS3036 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AUIRLS3036 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | AUIRLS3036 |
AUIRLS3036
10
www.irf.com
Ordering Information
Base part number Package Type
Standard Pack
Complete Part Number
Form
Quantity
AUIRLS3036
D2Pak
Tube
50
AUIRLS3036
Tape and Reel Left
800
AUIRLS3036TRL
Tape and Reel Right
800
AUIRLS3036TRR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLS3036TRR | 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRLS4030-7P | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030-7TRR | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030-7TRL | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030 | 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLS3036-7P | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036-7TRL | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036-7TRR | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036TRL | 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036TRR | 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。