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参数资料
| 型号： | AUIRLS3036 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | AUIRLS3036 |
AUIRLS3036
6
www.irf.com
Fig. 17 - Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature
Fig. 19 - Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 18 - Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. dif/dt
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
G
S
(t
h)
,G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
0
100
200
300
400
500
diF /dt (A/μs)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
Q
R
(A
)
IF = 110A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
100
200
300
400
500
diF /dt (A/μs)
200
300
400
500
600
Q
R
(A
)
IF = 165A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
100
200
300
400
500
diF /dt (A/μs)
2
4
6
8
10
12
14
I R
R
M
(A
)
IF = 110A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
100
200
300
400
500
diF /dt (A/μs)
2
4
6
8
10
12
I R
R
M
(A
)
IF = 165A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLS3036TRR | 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRLS4030-7P | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030-7TRR | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030-7TRL | 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLS4030 | 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLS3036-7P | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036-7TRL | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036-7TRR | 功能描述:MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036TRL | 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3036TRR | 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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